本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。
本標準適用于測量直徑大于15.9mm 的由外延、擴散、離子注入到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2μm 的薄層,方塊電阻的測量范圍為10Ω~5000Ω。該方法也可適用于更高或更低阻值方塊電阻的測量,但其測量精確度尚未評估。?
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