本文件規定了多晶硅棒取樣、將樣品區熔拉制成單晶以及通過低溫紅外光譜法或光致發光光譜法對拉制好的單晶硅棒進行分析以確定多晶硅中施主、受主、代位碳和間隙氧雜質含量等的規程。本文件適用于評價硅芯上沉積生長的棒狀多晶硅。
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