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半導體器件 機械和氣候試驗方法 第34部分:功率循環

標 準 號: GB/T 4937.34-2024
替代情況:
發布單位: 國家市場監督管理總局 國家標準化管理委員會
起草單位: 中國電子科技集團公司第十三研究所
發布日期: 2024-03-15
實施日期: 2024-07-01
點 擊 數:
更新日期: 2024年06月17日
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內容摘要

本文件描述了一種確定半導體器件對熱應力和機械應力耐受能力的方法,通過對器件內部芯片和連接結構施加循環耗散功率來實現。
試驗時,周期性施加和移除正向偏置(負載電流),使其溫度快速變化。
本試驗是模擬電力電子的典型應用,也是對高溫工作壽命(見IEC 60749-23)的補充。
其失效機理可能不同于空氣對空氣溫度循環試驗及雙液槽法快速溫變試驗。本試驗會導致損傷,是破壞性試驗。

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